AZ 5214 E光刻胶

图像反转光刻胶

一般信息

这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术。尽管它们是由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物（PAC）组成的正性光致抗蚀剂（甚至可以以这种方式使用），但它们能够反转图像（IR），从而产生负片状的掩模。实际上AZ 5214E几乎仅用于红外模式。

通过在抗蚀剂配方中使用特殊的交联剂可以获得图像反转能力，该交联剂在高于110°C的温度下才具有活性，而且更重要的是，仅在抗蚀剂的裸露区域才具有活性。交联剂与曝光后的PAC一起导致几乎不溶（在显影剂中）并且不再是光敏物质，而未曝光的区域仍然像普通的未曝光的正性光刻胶一样起作用。泛光曝光（无需掩模）后，将这些区域溶解在标准显影剂中以形成正性光刻胶，保留交联区域。总体结果是掩模图案的负像。

众所周知，根据工艺条件和曝光设备的性能，正光刻胶轮廓的正斜率为75-85°（只有亚微米光刻胶接近90°）。这主要是由于PAC的吸收，当穿透抗蚀剂层时，PAC的吸收使光衰减（所谓的体效应）。结果是抗蚀剂顶部的溶解速率较高，而底部的溶解速率较低。当以红外模式处理AZ 5214E时，这将被逆转，因为与较低剂量的曝光区域相比，较高的曝光区域将以更高的程度交联，因此溶出速率也较高。最终结果将是负壁轮廓，非常适合提离。

红外过程的最关键参数是反向烘烤温度，一旦优化，必须将其保持在±1°C内以保持一致的过程。该温度还必须单独优化。无论如何，它将落在115至125℃的范围内。如果选择的IR温度过高（> 130°C），则抗蚀剂也会在未曝光区域发生热交联，因此不会产生图案。建议按照以下步骤找出合适的温度:

用抗蚀剂涂布并预烤一些基材。在不将它们暴露于紫外线的情况下，将它们置于不同的反向烘烤温度下，即115°，120°，125°和130°C。 现在，施加> 200mJ /cm²的洪水，然后将其浸入标准显影剂配方中，即AZ 340、1：5稀释液或AZ 726 MIF 1分钟。从抗蚀剂的一部分衬底上将其除去，另一部分（暴露于太高温度的部分）将保留并在其上进行热交联。最佳的RB温度现在比开始交联的温度低5°至10°C。

只要施加足够的能量使未暴露的区域可溶，洪水暴露就绝对不重要。200 mJ /cm²是一个不错的选择，但是150-500 mJ /cm²不会对性能产生重大影响。

最后，应该注意的是，成像曝光能量要比普通正片显影过程低，通常只有一半。因此，一个好的经验法则是：与标准的正性抗蚀剂工艺相比，按图像曝光的剂量应为剂量的一半，而泛光曝光能量应为AZ 5214E红外处理的两倍。

一旦理解并熟悉了这种红外程序，就可以很容易地设置不同的提货流程。T形轮廓可通过以下过程顺序实现：

将预烘焙的AZ 5214E光致抗蚀剂用少量UV能量进行泛光曝光（无掩模），仅在表面上产生一些曝光的PAC。现在，执行反向烘烤以部分交联该顶部区域。通过这种处理，产生了与散装材料相比溶解速率降低的顶层。此后，将抗蚀剂像普通的正性光刻胶一样进行处理（以图像方式曝光和显影）以生成正像！由于顶层中较低的溶出速率，将导致带有悬垂唇缘的T形轮廓。

物理和化学特性

膜厚[µm]，为SPIN SPEED的功能（通常)