紫外掩膜对准光刻机/曝光机
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻即在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
Mask Alignment System
紫外掩膜对准曝光系统
NXQ4000系列半自动型
恩科优（NXQ）4000系列半自动掩膜对准曝光系统，融合了独立的模块化设计，精准控制对准和曝光等特点。自动程序控制使得该系统易于操作存储和使用，适合实验室多用户使用。该系统以其卓越的性能，经济的价格，深受全球用户喜爱，截止2011年底，超过4000台NXQ光刻机遍布全世界的科研实验室、研发中心和工业生产线。
适用领域（包括但不限于下述领域的光刻工艺）
微电子
LED/HB LED
3D IC/晶圆制造工艺
2.5D Interposer
MEMS
BioMEMS
微流控芯片
化合物半导体
太阳能（HCPV）
光电子
系列型号（根据曝光基片的尺寸范围选择合适的型号）
NXQ4006 半自动型（可处理大到6英寸的基片）
NXQ4008 半自动型（可处理大到8英寸的基片）
参数配置
项目名称 | 参数说明 | |
曝光模式 | 接近式，接触式（软接触，硬接触，真空接触） | |
曝光分辨率 | 0.5um(真空接触模式) | |
基片尺寸 | NXQ4006：5mm到150mm的圆片或者方片 NXQ4008：5mm到200mm的圆片或者方片 | |
掩模尺寸 | 2”x2”到9”x9”（ 2”x2”要求掩模转接托盘） | |
对准台 | 对准台扫描范围 | +/- 16mm |
X-Y 移动范围 | +/- 3.8mm | |
Theta旋转范围 | +/- 7 ° | |
掩模/晶圆片间隙范围 | 0–180um | |
单面对准套刻精度 | ＜1.0um | |
双面对准套刻精度 | ＜1.5um（光学对准） ＜ 3um（红外对准） | |
Video View 显微镜 移动范围 | 左显微镜X轴移动范围 | -22mm~晶圆边缘 |
补偿物镜移动范围 | -5.5mm ~晶圆边缘 | |
右显微镜X轴移动范围 | +22mm ~晶圆边缘 | |
补偿物镜移动范围 | +5.5mm ~晶圆边缘 | |
右/左 显微镜Y轴移动范围 | +/- 12.7mm | |
选配可扩展显微镜Y轴移动范围 | +12.7mm, -88mm | |
紫外曝光 光源系统 | 紫外灯源 | 350W/500（标配），500W/1000W（选配） |
曝光波长范围 | UV (350-450 nm) （标配） NUV(280-350nm) （选配） MIDUV(280-450nm)（选配） DUV(220-280nm) （选配） | |
紫外光强均匀性 | 小于±1% @2英寸的基片 小于±2% @4英寸的基片 小于±3% @6英寸的基片 小于±4% @8英寸的基片 | |
系统 运行条件 | 电源输入 | 115VAC,/60 Hz 或 240VAC 50Hz |
压缩气体 | 5.4 bar (80 PSI) | |
真空要求 | -0.7 bar (21” Hg) | |
氮气（或清洁干燥气体） | 3 bar (40 PSI) | |
外围条件 | 外形尺寸 | 1220mm x 915mm x 1423mm (48” x 36”x 56”) |
设备净重 | 217Kg ( 480 Lb) | |
