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NXQ4006紫外掩膜曝光光刻机
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1 光源系统

1.1 曝光功率:350 / 500 W可切换

1.2 要求更宽曝光波长范围,满足(350-450nm)

1.3 具有高分辨率低衍射光学系统

1.4 具有真实可重复验证的光强均匀度,

其中2英寸范围内不低于+/-1%;4英寸范围内不低于+/-2%;6英寸范围内不低于+/-3%;

1.5 具有不超过-1.6°的准直半角

1.6 要求光强输出范围10~55mW/cm2

1.7 要求配德国原产OSRAM 350 W曝光灯

*1.8 要求具有脉冲式曝光定时器定序控制的整片曝光模式

*1.9 具有超灵敏紫外电源供应装置,通过开关实现350W/500W快速切换。

可选择恒光强模式或恒功率模式,可通过传感器闭环控制实现全自动的恒光强功能。


2 控制系统

*2.1 可重复实现的分辨率可达0.5um以内

2.2 菜单驱动式操作,操作简便的PLC控制器


3 视像系统

3.1配有可视分裂场显微镜,X轴/Y轴行程范围可调节。

*3.2 配有两个高清彩色摄影机和双高清显示器

3.3  5x 高级LED物镜一副, 可选2x, 10x 或20x


4对准平台

4.1 便于基片手动放置/取出的负载托盘设计

4.2 确保放置位置具有高重复性的手动对准器

4.3 在基片加载/卸载过程自动实现锁紧和释放

*4.4 可配置从5mm碎片到6英寸晶圆片的基片处理范围

4.5 Theta角采用千分尺实现细调对准

4.6 对准台的Theta角范围+/- 7度

*4.7 要求无摩擦的气浮轴承,无需润滑,无需维护

*4.8 具有精准控制水平接触力度,高可重复性的楔形误差补偿技术

4.9 具有光学背面对准OBS系统,并集成红外IR辅助对准功能;


5 曝光系统

5.1 支持硬接触、软接触、真空接触和接近式曝光模式

5.2 全自动的曝光过程,对准模式/曝光模式之间可全自动控制切换,

所有曝光模式下,都确保腔体的真空和净化,污染降到最低


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